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基于此效应的光电器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。通过设计和制造工艺，使光电池工作在无外接电源下，则以光伏效应工作。光敏管工作在反向偏压下，则同时存在光导效应和光伏效应。它们输出的光电流与光照强度均具有线性关系。光电磁效应（简称PEM效应）半导体受强光照射，并在光照垂直方向外加磁场时，垂直于光和磁场的半导体两端面间产生电势的现象称为光电磁效应。它可以看成是光扩散电流的霍尔效应。
未来几年，随着越来越多的汽车电子和工业设计企业转移到中国，霍尔传感器在中国市场的年销售额将保持20%到30%的高速增长。与此同时，霍尔传感器的相关技术仍在不断完善中，可编程霍尔传感器、智能化霍尔传感器以及微型霍尔传感器将有的市场前景。什么是霍尔效应？霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
其中B是磁通量密度，v是电子的速度，q是电子电荷。在上图中，正式由于其中磁场使电荷的运动偏转。将扁平导电条放置在磁场中，并将导电条的左右两侧的附加触点连接到电压表。导电条的下端和上端连接到电源，由于磁通量的存在，移动的电子在偏转力的作用下向带的右侧移动。这导致右侧比左侧更负，因此存在电位差。该电压称为霍尔电压，其大小和方向取决于电流和磁场的大小和方向。霍尔电压为计算公式为: