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通过上文的介绍不难看出,霍尔效应传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器,可以广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。另外,霍尔效应传感器也是一个换能器,它将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是实用于测量磁场,此外还可测量产生和影响磁场的物理量,例如被用于接近开关、位置测量、转速测量和电流测量设备。霍尔传感器是排名第三的传感器产品,它被广泛应用到工业、汽车业、电脑、手机以及新兴消费电子领域。
关于霍尔效应理论霍尔效应是由Edwin Hall于1879年在约翰霍普金斯大学通过实验发现的。由于当时有仪器可用,由于实验的微妙性质,从材料获得的电压低(以微伏为单位)。因此,在开发出合适的材料之前,在实验室之外不可能使用霍尔效应。半导体材料的发展为霍尔效应的实际应用制造了高质量的换能器。霍尔效应是指放置在磁场中的载流导体的相对边缘产生电压。当电流通过放置在磁场中的导体时,导体上会在垂直于磁场和电流的方向上产生电位差,其大小与电流和磁场成正比,这种现象被称为霍尔效应,它是许多磁场测量仪器和设备的基础。
传感器光电二管元件图像传感器的关键在于光电二管的大小或元件的大小。使用小光电二管的传感器元件所捕获的光子数量没有使用大的光电二管多。如果元件尺寸小于可捕获的可见光波长(如长度为400纳米的蓝光),那么为了校正图像颜,在传感器设计中克服其他问题。传感器厂商花费大量精力来设计优化元件大小,以确保的颜能同等成像(如图3所示)。在端的情况下,由于缺乏累积的光子和传感器读出噪声,小的传感器可能对噪声更加敏感。如果二发光管传感器元件太大,那么硅材料的颗粒大小和费用会增加,这没有优势可言。一般商业传感器设备具有的传感器元件大小至少为1平方微米,每个生产厂商会不同,但为了满足某些的需求会有一些折中。