内蒙古本地回收SICK传感器服务热线
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侧边光生伏特效应的工作上基本原理是,半导体器件光照部分吸收人射光子美容的机械能导致电子元器件空蚀对,使该部分载流子质量浓度高过未被光照部分,因而出现了浓度梯度,造成载流子的扩散。由于电子元器件迁移率比空蚀的大,因此电子元器件开始向未被光照部分扩散,造成被光照部分带正电,未被光照部分带负电,两部分正中间导致光电动势。PN结光生伏特效应光直射距表面很近的半导体器件PN结时,结及附近的半导体器件消化光能。若光子美容机械能超出禁带宽度,则价带电子元器件自由电子到导带,变为自由电子,而价带则相对性变为随便空蚀。这类电子元器件空蚀对在PN结內部电场的作用下,电子元器件调向N区两边,空蚀调向P区两边,结果P区带正电,N区带负电,造成光电动势。
原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离,隔离电压可达9600Vrms;精度高:在工作温度区内精度优于1%,该精度适合于波形的测量;霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高(可达μm级)。宽带宽:高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs;但是,电压传感器带宽较窄,一般在15kHz以内,6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS,带宽约700Hz。
几种硅光电二管的典型光谱响应。可以注意到,光电二管在900纳米附近的近红外范围内 具有高的敏感度,而在横跨400纳米~700纳米的可见光范围内具有非线性的敏感度。 由于标准的硅响应的缘故,从摄像机中去掉IR滤波器会增加近红外的灵敏度。(光谱数据图像的使用已获得OSI光电股份有限公司的许可)注意,当读入原始数据,并将该数据离散化成数字像素时,会导致硅光谱响应。传感器制造商在这个区域做了设计补偿,然而,当根据应用标定摄像机系统并设计传感器处理方法时,应该考虑传感器的颜响应。