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回收变频器:3G3MX2,3G3JZ,系列，固态继电器:G3NA G3NB G3PE G3PA，时间继电器:H5CX,H5CN,H3CR,H5S,H3Y,H3BA,H3DE,H3Y系列
开关电源:S8FS, S8VS , S8VK , S8VM系列，传感器:E3Z,E3JK,E3JM,E3X,E2E,E2B,EE,E3T系列。
霍尔效应传感器感测到的信息馈送到逻辑电路，该逻辑电路进一步编码该信息并控制驱动电路。这种类型的反馈机制由霍尔效应传感器提供，用于测量用于许多BLDC电机控制应用的转子的速度和位置，因为它具有更大的灵活性。霍尔效应电流传感器用于测量交流和直流电流。通过使用线性模拟霍尔效应传感器，可以测量从250mA到数千安培的电流。这种隔离的模拟输出电压被进一步数字化，并且通过添加放大器进行电平转换和温度补偿。载流导体被磁场包围，因此在该磁场附近放置线性霍尔效应传感器，然后在传感器的输出端产生电压，如下图所示。该电压与导体周围的磁场强度成比例。
光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。
原边电路与副边电路之间有良好的电气隔离，隔离电压可达9600Vrms；精度高:在工作温度区内精度优于1%，该精度适合于波形的测量；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。宽带宽:高带宽的电流传感器上升时间可小于1μs；但是，电压传感器带宽较窄，一般在15kHz以内，6400Vrms的高压电压传感器上升时间约500uS，带宽约700Hz。