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霍尔效应集成电路(IC)传感器该集成技术与霍尔效应原理相结合，产生霍尔效应IC开关。与光电或电感传感器相比，霍尔效应IC开关更有效、成本更低且效率更高。这种传感器是一个单一的集成电路芯片，上面内置了信号放大器、霍尔电压发生器和施密特触发电路等各种元件。这些IC可检测铁磁材料、永磁体或电磁体在施加偏磁的情况下的磁场强度变化。这些IC用于各种应用，例如对准控制、速度控制、点火系统、机械限位开关、机床、计算机、键盘、按钮、系统等。
人是通过视觉、嗅觉、听觉及触觉等感官来感知外界的信息，感知的信息输入大脑进行分析判断（即人的思维）和处理，再指挥人作出相应的动作，这是人类认识世界和改造世界具有的基本的本能。但是通过人的五官感知外界的信息有限，例如，人总不能利用触觉来感知超过几十甚千度的温度吧，而且也不可能辨别温度的微小变化，这就需要电子设备的帮助。同样，利用电子仪器象计算机控制的自动化装置来代替人的劳动，那么计算机类似于人的大脑，而大脑而没有感知外界信息的“五官”显然是不的，处理系统也还需要它们的“五官”——即。
侧边光生伏特效应的工作上基本原理是，半导体器件光照部分吸收人射光子美容的机械能导致电子元器件空蚀对，使该部分载流子质量浓度高过未被光照部分，因而出现了浓度梯度，造成载流子的扩散。由于电子元器件迁移率比空蚀的大，因此电子元器件开始向未被光照部分扩散，造成被光照部分带正电，未被光照部分带负电，两部分正中间导致光电动势。PN结光生伏特效应光直射距表面很近的半导体器件PN结时，结及附近的半导体器件消化光能。若光子美容机械能超出禁带宽度，则价带电子元器件自由电子到导带，变为自由电子，而价带则相对性变为随便空蚀。这类电子元器件空蚀对在PN结內部电场的作用下，电子元器件调向N区两边，空蚀调向P区两边，结果P区带正电，N区带负电，造成光电动势。