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这里考虑一个简单的设置来说明如下所示的霍尔效应。导电材料或板由电池供电,电流(I)流过它。电压表的一对探头连接到板的侧面,使得在没有磁场的情况下测量的电压为零。当向板上施加磁场使其与电流成直角时,导体中的电流分布会出现一个小电压。该力作用在电流上并将电流聚集到导线或导体的一侧,从而在导体上产生电位差。如果磁场的性反转,则感应电压也会反转穿过板。这种现象就是霍尔效应。霍尔效应是基于外部磁场和移动电荷载流子之间的相互作用,通过磁场作用在移动电子上的侧向力为:F=qvB。
光电效应的实验设备如下图所示。光电管的阳处理A接高电位,负级K接低电势差,则阳处理和负级正中间有个加速电场,电场方向由A偏重K。正中间的工作频率由电流计V载入,工作频率的规格由变阻器R得出。图中,G是机敏电流计。实验注重,当负级没有遭到光照射时,开关电源原理中大部分没有电流值;当负级遭到光照射时,开关电源原理中就马上电流值出现。光照多久,电流值就维持多久;光照停止,电流值也就消散。这就说明当光照射时,有电子元器件从电子光学负级逸出。在加速电场作用下,电子元器件飞向阳处理,从而在控制电路中造成光电流。
PN结光生电流值与人射光照度正比例,光生伏特与光照度大部分正比例。由于光生电子元器件、空蚀在扩散过程时候分别与半导体器件空蚀、电子元器件复合性,因此载流子的使用期与扩散长度有关。只有使PN结距表面的厚薄小于扩散长度,可以造成光电流导致光生伏特。在建筑项目上,应用变更PN结距表面厚薄的规格的方法,可以调整依据PN结光生伏特效应的半导体器件的相频特性特性、光电流跟光生电势差规格。