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这里考虑一个简单的设置来说明如下所示的霍尔效应。导电材料或板由电池供电，电流(I)流过它。电压表的一对探头连接到板的侧面，使得在没有磁场的情况下测量的电压为零。当向板上施加磁场使其与电流成直角时，导体中的电流分布会出现一个小电压。该力作用在电流上并将电流聚集到导线或导体的一侧，从而在导体上产生电位差。如果磁场的性反转，则感应电压也会反转穿过板。这种现象就是霍尔效应。霍尔效应是基于外部磁场和移动电荷载流子之间的相互作用，通过磁场作用在移动电子上的侧向力为:F=qvB。
三段式螺管差动变压输出电压曲线如图所示。差动变压器输出电压曲线电涡流式传感器电涡流式传感器的结构电涡流式传感器结构比较简单，主要由一个安置在探头壳体的扁平圆形线圈构成。电涡流传感器的内部结构电涡流式传感器的工作原理根据法拉第电磁感应原理，块状金属导体置于变化的磁场中，导体内将产生呈涡旋状的感应电流，称之为电涡流或涡流，这种现象称为涡流效应。电涡流传感器是利用电涡流效应，将位移、温度等非电量转换为阻抗的变化或电感的变化从而进行非电量电测的。Ø目前生产的变间隙位移传感器，器量程范围为300m～800mm。
光生伏特效应 物块（如半导体器件）在光的照射下能导致务必方向的电动势的情况称作光生伏特效应。基。于该效应的半导体器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其导致电势差的基本原理可分为:侧边光生伏特效应侧边光生伏特效应又称殿巴（Dember）效应。当半导体器件半导体器件的光机敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度而导致的光电效应称作侧边光生伏特效应。依据该效应工作上的半导体器件有半导体器件位置敏感电子器件（统称PSD），或称旋转光敏二管。