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霍尔效应IC采用各种配置的硅CMOS技术制造。上图显示了4引脚封装的霍尔效应传感器IC。在总共4个引脚中，有2个引脚连接到恒压源，另外两个连接到电压表。连接布置电路如下图所示。当没有磁场时，测得的薄板电压可以忽略不计。当磁场以磁通线与流过霍尔元件的电流成直角的方式施加在偏置霍尔效应传感器上时，霍尔IC的输出端会产生与大小成比例的电压到磁场强度。霍尔效应传感器需要一个信号调理电路，以使其输出可用于许多其他应用。该信号条件电路进行放大、电压调节、温度补偿、线性等。目前主要有两种类型的霍尔效应传感器，即模拟霍尔效应传感器和双性霍尔效应传感器。
差动变压器上下两只铁芯均有一个初级线圈1和一个次级线圈2。上下两只初级线圈串联后接交流激励电压，两只次级线圈则按电势反相串接。三段式螺管差动变压器结构示意图将两个匝数相等的次级绕组的同名端反向串联，当初级绕组加以激磁电压时，根据变压器的作用原理在两个次级绕组和中就会产生感应电势;如果工艺上变压器结构对称，则当活动衔铁处于初始平衡位置时，输出电压为零。当活动衔铁向某一个次级线圈方向移动时，则该次级线圈内磁通增大，使其感应电势增加，差动变压器有输出电压，其数值反映了活动衔铁的位移。
颜传感器IC的结构下面比较了传感器在有无这些滤光片时的分光特性。颜传感器IC通过为内部传感器配备R、G、B各种颜的滤光片，具备了较高的RGB分光特性，而且通过配备红外截止滤光片，具备了红外线去除特性，能高精度识别颜。随着5G、物联网、人工智能等新一代信息技术的不断发展，数据将会呈现出指数级增长趋势，并逐步成为数字时代的基础性战略资源和性关键要素，而传感器作为数据采集的唯一功能器件，是信息技术的基础核心元器件，其重要性不言而喻。