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光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础,把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体,可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上,此时光子能量就传递给电子,并且是一个光子的能量一次性地被一个电子所吸收,电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化,从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类:(1 )在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应,如光电管、光电倍增管等;(2 )在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应,如光敏电阻、光敏晶体管等;(3 )在光线作用下,物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应,如光电池等。
三段式螺管差动变压输出电压曲线如图所示。差动变压器输出电压曲线电涡流式传感器电涡流式传感器的结构电涡流式传感器结构比较简单,主要由一个安置在探头壳体的扁平圆形线圈构成。电涡流传感器的内部结构电涡流式传感器的工作原理根据法拉第电磁感应原理,块状金属导体置于变化的磁场中,导体内将产生呈涡旋状的感应电流,称之为电涡流或涡流,这种现象称为涡流效应。电涡流传感器是利用电涡流效应,将位移、温度等非电量转换为阻抗的变化或电感的变化从而进行非电量电测的。Ø目前生产的变间隙位移传感器,器量程范围为300m~800mm。
式中,η 内光量子效率高(光生载流子数与人射光子美容数占比);μc——大多数载流子的迁移率;τ——大多数载流子使用期;d——光敏电阻两电级间距;p——光源射进功率;e——普朗克常数,为6.6261×10-34J s。随光能的提高,光生载流子质量浓度虽然也因之激增,但一块儿电子元器件与空蚀间的复合性速度也加快,因此低于截止波长的光动能与半导体所导致的光电流的特性趋势图并非线性相关。