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电阻率(电导率)因施加在该电阻上的压力而变化的现象称为压阻效应。罗姆的气压传感器IC将使用压阻式压力接收元件(隔膜结构和压阻集成在一起MEMS),以及温度校正处理、控制电路等的集成电路(ASIC)集成在一个封装里,可以轻松获得高精度的气压信息。加速度是指单位时间内产生的速度,测量加速度的IC就叫加速度传感器。通过测量加速度,可以测得物体的倾斜、振动等信息。加速度单位为m/s2(单位制SI)。另外,单位G是以标准重力(1 G = 9.806 65m/s2)为基准的加速度值。还有用于检测地震震动的加速度的单位Gal(CGS单位制)。
光电效应的实验装置物质在光的作用下释放出电子,这种现象叫光电效应。光电效应通常又分为外光电效应和内光电效应两大类。在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面,向外发射的现象称为外光电效应。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。受光照物体电导率发生变化,或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电阻率的变化,这种现象称为光电导效应。大多数的高电阻率半导体都具有光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻(也称光电导管),其常用的材料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、非晶硅(a-Si:H)等。
未来几年,随着越来越多的汽车电子和工业设计企业转移到中国,霍尔传感器在中国市场的年销售额将保持20%到30%的高速增长。与此同时,霍尔传感器的相关技术仍在不断完善中,可编程霍尔传感器、智能化霍尔传感器以及微型霍尔传感器将有的市场前景。什么是霍尔效应?霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。