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关于霍尔效应理论霍尔效应是由Edwin Hall于1879年在约翰霍普金斯大学通过实验发现的。由于当时有仪器可用,由于实验的微妙性质,从材料获得的电压低(以微伏为单位)。因此,在开发出合适的材料之前,在实验室之外不可能使用霍尔效应。半导体材料的发展为霍尔效应的实际应用制造了高质量的换能器。霍尔效应是指放置在磁场中的载流导体的相对边缘产生电压。当电流通过放置在磁场中的导体时,导体上会在垂直于磁场和电流的方向上产生电位差,其大小与电流和磁场成正比,这种现象被称为霍尔效应,它是许多磁场测量仪器和设备的基础。
霍尔传感器其中某型霍尔传感器的优点及用途许多人都知道,轿车的自动化程度越高,微电子电路越多,就越怕电磁干扰。而在汽车上有许多灯具和电器件,尤其是功率较大的前照灯、空调电机和雨刮器电机在开关时会产生浪涌电流,使机械式开关触点产生电弧,产生较大的电磁干扰信号。采用功率霍尔开关电路可以减小这些现象。霍尔器件通过检测磁场变化,转变为电信号输出,可用于监视和测量汽车各部件运行参数的变化。
模拟霍尔效应传感器与基本霍尔传感器相比,模拟霍尔效应传感器在更宽的电压范围内工作,并且在嘈杂的环境中也很稳定。下图显示了模拟输出霍尔效应器件,它产生的模拟电压与它所暴露的磁场成正比。放大器具有偏置或固定偏移,因此当磁场不存在时,偏置电压出现在输出端,这被认为是零电压。霍尔元件处的磁场可以是正的也可以是负的。因此,当感测到正磁场时,输出电压增加到高于零值,而当感测到负磁场时,输出降低到零值以下。