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对于位移在1mm百毫米的测量,常采用圆柱形衔铁的螺管型差动变压器,如c、d两种结构。(c)、(d)螺线管式差动变压器e、f两种结构是测量转角的差动变压器,通常可测到几秒的微小位移。Ø非电量测量中,应用多的是螺线式差动变压器,它可以测量范围内的机械位移,并具有测量精度高、灵敏度高、结构简单、性能等优点。(e)、(f)变截面式差动变压器差动变压器的工作原理差动变压器的结构由铁芯、衔铁和线圈三部分组成。其结构虽有很多形式,但其工作原理基本相同。
基于此效应的光电器件有光电池、太阳电池、光敏二管和光敏三管等。通过设计和制造工艺,使光电池工作在无外接电源下,则以光伏效应工作。光敏管工作在反向偏压下,则同时存在光导效应和光伏效应。它们输出的光电流与光照强度均具有线性关系。光电磁效应(简称PEM效应)半导体受强光照射,并在光照垂直方向外加磁场时,垂直于光和磁场的半导体两端面间产生电势的现象称为光电磁效应。它可以看成是光扩散电流的霍尔效应。
随光能的增加,光生载流子浓度虽然也因之剧增,但同时电子与空穴间的复合速度也加快,因此低于截止波长的光能量与半导体所产生的光电流的特性曲线不是线性关系。光生伏特效应 物体(如半导体)在光的照射下能产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。基。于该效应的光电器件有光电池、光敏二管和光敏三管。光生伏特效应根据其产生电势的机理可分为:侧向光生伏特效应侧向光生伏特效应又称殿巴(Dember)效应。